RTP快速退火炉\CVD生长系统设备

SGM CVD生长系统设备为洛阳西格马高温电炉生产的1200℃滑动式管式炉，可作为RTP快速退火炉使用。快速热处理退火炉简称 RTP（Rapid Thermal Processing Furnace），具有快速升温特点。
通过采用大功率红外线辐射方式快速预加热，快速退火炉温度均匀度≤1%，处理的大尺寸可以达到200mm，温度可以达到1200摄氏度，处理过程可以在真空环境或者惰性气体的环境中执行，做多可支持4~6路进气，可以用到的气体包含N2，O2，N2H2，Ar和H2。
RTP快速退火炉已经成为半导体、铁电体以及镀膜行业的重要退火技术。但是目前，只有大型的、昂贵的生产设备才能完成快速热处理，这大大降低了研发工作的效率（尤其是小的样品）。

RTP快速退火炉产品用途：

此款CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。

RTP快速退火炉产品组成：

CVD生长系统设备配置：

1.1200度开启式真空管式炉（可选配单温区、双温区）。

2.多路质量流量控制系统

3.真空系统（可选配中真空或高真空）     

产品特点：

1 控制电路选用模糊PID程控技术，该技术控温精度高，热惯性小，温度不过冲，性能可靠，操作简单。

2 气路快速连接法兰结构采用本公司有的知识产权设计,提高操作便捷性。

3 中真空系统具有真空度上下限自动控制功能，高真空系统采用高压强，耐冲击分子泵

 防止意外漏气造成分子泵损坏，延长系统使用寿命。

CVD生长系统主要技术参数：