CVD气相沉积系统设备：1700℃气相沉积炉

CVD化学气相沉积炉由开启式单（双）温区管式炉、高真空分子泵系统、压强控制仪及多通道浮子系统或高精度数字质量流量控制系统组成。CVD化学气相沉积炉可实现真空达0.001Pa混合气体化学气相沉积和扩散试验。
化学气相沉积CVD系统设计用于在粉末Si材料（通常用作锂电池的负极）上覆盖碳膜。通过在化学气相沉积CVD过程中旋转反应炉管，可以搅拌粉末样品，从而可以均匀沉积碳膜。

1700度管式炉

三路浮子混气系统

CVD浮子混气系统用途：

适用于高校、科研院所用于真空镀膜、纳米薄膜材料制备，生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等，也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用

CVD浮子混气系统功能特点：

1、高真空系统由双级旋片真空泵和分子泵组成，额定真空可达0.0001Pa；

2、可配合压强控制仪控制气体压力实现负压的精准控制；

3、数字质量流量控制系统是由多路质量流量计，流量显示仪等组成，实现气体的流量的精密测量和控制；每条气体管路均配备高压逆止阀，保证系统的安全性和连续均匀性。

4、采用KF快速法兰密封，装卸方便快捷；管路采用卡套连接，确保不漏气；

5、超温、过压时，自动切断加热电源及流量计进气，使用安全可靠。

CVD浮子混气系统主要参数

额定温度：1700度
工作温度：≤1600℃

炉管：采用99氧化铝刚玉管，致密度高，经久耐用，不易断裂

炉管尺寸：Φ40/60/80*/1000mm

炉管配件：4个氧化铝管堵

加热元件：6根U型硅钼棒

加热区长度：280mm

恒温区长度：100mm

升温速率：≤10℃/min

温控系统：温度控制采用人工智能调节技术，具有PID调节、自整定功能、50段升降温程序

测温元件：B型双铂铑热电偶

恒温精度：±1℃

流量规格：0.3~3L/min

控制精度：±5%

极限真空：6.0×10-5Pa

工作真空：7.6×10-4Pa

测温元件：B型双铂铑热电偶

电压：AC220V 50/60Hz

功率：6KW

尺寸：高温管式炉：660*580*910mm、混气移动工作台：800*540*720mm

可选配件：多路浮子或质子混气系统,中、高真空系统，各种刚玉坩埚，刚玉管，计算机控制软件，无纸记录仪，氧含量分析仪，冷却水循环机等

供气系统

质量流量计和不锈钢混气罐都安装在一个移动柜里，移动柜额定可以承重1000Lbs，各通道气路的流量设定和状态显示都集中在触摸屏上，同时可以实时查看气体流量曲线和数据。

· 标准量程：100sccm、200sccm、200sccm、500sccm(可以定制量程与数量）

· 质量流量控制器：

（1）工作电压：AC 220V/50HZ

（2）工作温度：5-45℃

（3）工作压强：3×106 Pa

（4）额定输出功率：23W

（5）精度：±1.5%FS

（6）线性：±(0.5-1.5)%F.S

（7）重复精度：±0.2%F.S

（8）响应时间：气特性：1-4 Sec，电特性：10 Sec

（9）工作压差范围：0.1-0.5 MPa

· PLC触摸屏：

各通道的气路设定和查看都集中在触摸屏上，可以选配RS485通讯接口和PC控温软件可以连接到电脑上，进行远程控制

· 机械压力表：量程范围：-0.1-0.15MPa

· 针阀：316不锈钢

· 管件：内部连接管道为1/4〞聚四氟管，外部通气管道为1/4〞聚四氟管

· 气体混料罐：Φ80×120mm

· 截止阀：316不锈钢针阀Φ1/4〞

· 产品规格： 600×745×700mm