SGM 1200℃单温区三通道混气CVD系统

1200℃单温区三通道混气CVD系统是一款通过CE认证的单温区管式炉CVD系统，其管径为80mm，采用机械泵，供气系统为三路浮子供气系统，其真空度可达到 10-2 torr。
1200℃单温区三通道混气CVD系统由单温区管式炉和三路浮子流量计组成。1200℃单温区三通道混气CVD系统管式炉由精密控温仪表进行PID控温，可编辑30段升降温程序，同时有过热和断偶保护功能。炉管两侧法兰配有数字式真空计和机械式压力表，可以用来控制路管内的气氛环境。

应用领域：

高真空CVD系统是一款专业在沉底材料上生长高质量石墨烯、碳纳米管、碳化硅的专用设备.

结构特点：

1200℃单温区三通道混气高真空CVD系统主要由高温腔体、石英管、石英支架、气路系统、分子泵机组、自动化控制系统、冷却系统等组成。

1、沉底材料可采用铜箔、石墨等;

2、生长腔体采用高纯石英管，配石英支架、为石墨烯等材料的生长提供洁净环境;

3、加热腔体采用陶瓷纤维加热器，均温区200mm、对开式结构;

4、密封法兰均采用不锈钢材质，配水冷套，可连续长时间工作;

5、气路系统采用三路质量流量计(可拓展多路),配预混系统;

6、真空系统采用分子泵机组;

7、控制系统采用10寸触摸屏加西门子PLC模块;

8、可选配RF射频电源模块;

9、气体种类： He/Ar、C2H2、NH3、N2, H2、PH3、GeH4、B2H6

10、温度、气体、真空、冷却水等通过PLC控制，通过PC实时控制和显示相关的实验参数，自动保存实验参数，也可采用手动控制.

11、系统采用集成化设计，控制系统、混气罐、质量流量计等均内置在箱体内部，占地面积小。整体安装四个可移动轮子，方便整体移动。

1200℃单温区三通道混气CVD系统技术参数：

名称	1200℃单温区三通道混气CVD系统
高温炉壳体	采用双层壳体结构，并带有风冷系统，使得壳体表面温度小于55℃ 内炉膛表面涂有1750℃氧化铝涂层材料提高反射率及炉膛洁净度
功率	2.5 KW
电压	AC 208-240V 单相, 50/60 Hz
加热元件	掺钼铁鉻铝合金（表面涂有氧化锆涂层，使其*大程度延长使用寿命）
*高工作温度	1200℃
连续工作温度	1100℃
*快升温速率	≤20 ℃
炉管材质和尺寸	石英管: OD: 80mm x  ID: 75 mm x Length: 1000 mm
加热区长度	400 mm
恒温区长度	150  mm(+/-1 ℃) 注：由于测量手段及外部环境的影响，测量结果可能会有偏差，此参数仅供参考不作为该设备的技术指标。您购买产品需要准确的恒温区数据，请与我公司销售人员联系
控温系统	PID30段程序化控温 控温仪表操作视频
控温精度	+/- 1 ℃
真空密封系统	两个不锈钢密封法兰(上面已安装真空计和截止阀），*大漏气率6 mtorr/min
真空泵	采用双旋机械泵，机械泵上安装有油污过滤器，可以过滤真空泵工作时产生的油烟，减少泵油的损耗，保护环境和人体健康，过滤的*小微粒直径为0.3微米。
防腐型真空计	可选：本公司的防腐型数字式真空显示计，其测量范围为3.8x10-5 至 1125 Torr. 不需因测量气体种类不同而需要系数转换。（点击图片查看详细介绍）
混气系统	三个浮子流量计 三路浮子量程分别为 10-100 cc/min. 16-160 cc/min. 25-250 cc/min 内部安装有一混气罐
尺寸	炉体尺寸: 550 x 380 x 520mm 混气系统尺寸: 600x600x597 mm
净重	约60kg
开门断电	为保证使用安全，该电炉为开门断电设计
运输重量	200
质保期	一年质保期（不包括炉管 、加热元件和密封圈的损耗件）
使用注意事项	炉管内气压不可高于0.02MPa 由于气瓶内部气压较高，所以向炉管内通入气体时，气瓶上必须安装减压阀，建议在本公司选购减压阀，本公司减压阀量程为0.01MPa-0.1MPa,使用时会更加安全 当炉体温度高于1000℃时，炉管内不可处于真空状态，炉管内的气压需和大气压相当，保持在常压状态 进入炉管的气体流量需小于200SCCM，以避免冷的大气流对加热石英管的冲击 石英管的长时间使用温度＜1100℃ 对于样品加热的实验，不建议关闭炉管法兰端的抽气阀和进气阀使用。若需要关闭气阀对样品加热，则需时刻关注压力表的示数，若气压表示数大于0.02MPa，必须立刻打开泄气阀，以防意外发生（如炉管破裂，法兰飞出等）