二硫化钼CVD气相沉积系统\滑动式二硫化钼CVD制备设备

SGM 二硫化钼沉积系CVD气相统为滑动式二硫化钼CVD制备设备。洛阳西格马高温电炉可生产1200度CVD气相沉积系统、1000度CVD气相沉积系统、多温区CVD气相沉积系统、滑动式管式炉CVD系统设备。混气系统有双路、三路、五路混气，流量计有浮子和质子流量计混气系统。

二硫化钼CVD气相沉积系统概述

硫粉预热器采用管内测控温，稳定控制硫蒸汽的蒸发时机和蒸发温度。真空机组装有真空粉尘过滤器以保护机械式真空泵不被硫粉尘损坏。采用耐腐蚀电阻电容复合真空计（在1000Pa以上测量不受气体种类影响，耐硫蒸气腐蚀），通过调节真空蝶阀的开启程度调节炉管内压力稳定，在1200℃以下的工艺温度稳定气相沉积二硫化钼等二维化合物材料。

二硫化钼CVD气相沉积系统组成

HCVD-1200℃双温区管式炉，HTF硫粉预热器(双温区管式炉与预热器可滑动)，质量流量计供气系统，机械式真空泵等组成。

二硫化钼CVD气相沉积系统主要技术参数

硫粉预热器	型号：SGM-400℃ 二硫化钼CVD气相沉积系统工作温度：350℃ 额定温度：400℃ 升温速率：30℃/min 推荐升温速率：10℃/min 控温方式：智能化30段可编程控制工作电压：AC220 V 额定功率：800W 控温精度：±1℃ 加热元件：电阻丝
双温区硫化炉	型号：HCVD-1200S 技术参数：额定功率(KW):3 额定电压(V):AC220v 50/60 Hz 额定温度(℃):1200℃ （可选900℃、1200℃、1400℃、1700℃）持续工作温度(℃）：1100 升温速率（℃/min）：≤50 炉管尺寸（mm）：高纯石英管Φ50×1500mm 加热区长度（mm）：440mm 恒温区长度（mm）:200mm 控温方式:模糊PID控制和自整定调节，智能化30段可编程控制，具有超温和断偶报警功能控温精度(℃):±1 加热元件:电阻丝
供气系统GMF3Z	质量流量计重量：35Kg 外形尺寸：600x600x650mm 连接头类型：双卡套不锈钢接头。标准量程（N2标定)：50sccm、200sccm、500sccm；（可根据用户要求定制）准确度：±1.5% 线性：±0.5～1.5% 重复精度：±0.2% 响应时间：气特性：1～4 Sec，电特性：10 Sec 工作压差范围：0.1～0.5 MPa 额定压力：3MPa 接口：Φ6,1/4'' 显示：4位数字显示工作环境温度:5~45高纯气体内外双抛不锈钢管：Φ6 压力真空表：－0.1～0.15 MPa, 0.01 MPa/格截止阀：Φ6
低真空机组VAU-02	技术参数：空气相对湿度≤85%，工作电电压：220V±10% 50~60HZ 功率：1千瓦抽气速率：4Ls 极限真空：4X10-2Pa 实验真空度：1.0X10-1Pa 容油量：1.1L 进气口口径：KF25 排气口口径：KF25 转速：1450rpm 噪音：50dB 外型尺寸:450×180×240mm
低真空机组VAU-02	配真空粉尘过滤器，DN25手动蝶阀用于控制炉管内压力，INFICON PCG554复合真空计

用CVD制备二硫化钼，可以生长成单层的。

什么是cvd？cvd什么意思？

CVD(Chemical Vapor Deposition, 化学气相沉积),CVD化学气相沉积是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用设计为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，它是很简单的：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。沉积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子，它是由硅烷和氮反应形成的。

CVD技术常常通过反应类型或者压力来分类，包括低压CVD(LPCVD)，常压CVD(APCVD)，亚常压CVD(SACVD)，超高真空CVD(UHCVD)，等离子体增强CVD(PECVD)，高密度等离子体CVD(HDPCVD)以及快热CVD(RTCVD)。然后，还有金属有机物CVD(MOCVD)，根据金属源的自特性来保证它的分类，这些金属的典型状态是液态，在导入容器之前必须先将它气化。不过，容易引起混淆的是，有些人会把MOCVD认为是有机金属CVD(OMCVD)。

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